tablighat1


Timing در رم(حافظه ی اصلی) به چه معناست؟


Timing از مهمترین پارامترهایی است که کاربران حرفه ای و خصوصا OverClocker ها به آن توجه می کنند . این مسئله باعث می شود حتی دو ماژول رم با سرعت انتقال یکسان , کارآیی متفاوتی داشته باشند . در مقاله سعی می شود توضیحات و معرفی تایمینگ و تاثیر آن صحبت شود …
به شکل زیر دقت کنید :


 

تایمینگ معمولا عددی است به شکل : ۲-۲-۲-۵-T1

و هر کدام از این اعداد دارای تعریفی هستند و بر اساس Clock Cycle محاسبه می شوند .

( مقدار Clock Cycle هایی را نشان می دهد که حافظه برای انجام یک عملیات خاص مصرف می کند )


این اعداد به ترتیب از چپ به راست CL – tRCD – tRP – tRAS – CMD نامیده میشوند . برای فهمیدن اساس کار این ارقام بهتر است در ذهن خود چنین تصور کنید که داده ها در یک تقاطع بصورت سطری و ستونی قرار گرفته اند ( چیزی شبیه ماتریس )

ابتدا تعریف کلی از این اصطلاحات خواهیم داشت و سپس موارد اصلی را بطور کامل بررسی خواهیم کرد :

CAS Latency  CL  : مدت زمان تاخیر بین دستور داده شده از طرف CPU تا هنگام ارسال جواب است . ( زمان بین درخواست CPU و ارسال داده از طرف حافظه )

tRCD : تاخیر RAS to CAS – زمان بین فعالسازی سطر ( RAS ) تا فعالسازی ستون ( CAS ) . جایی که داده در ماتریس ذخیره شده است .

tRP : RAS Precharge زمانی که طول می کشد تا دسترسی به سطر فعلی غیر فعال شود و دسترسی به سطر دیگر فعال شود .

tRAS : Active To Prechare Delay : مدت زمانی است که حافظه باید صبر می کند تا دسترسی بعدی به حافظه بتواند آغاز شود .

CMD : Command Rate : مدت زمانی است بین فعال شدن Memory Chip و فرستادن واولین دستور به حافظه . معمولا در اکثر موارد این عدد نادیده گرفته می شود .

( مقدار آن یا T1 است به معنای ۱ Clock Cyle یا T2 به معنای ۲ Clock Cycle )

تا اینجا بطور کوتاه بررسی کردیم که اصولا تایمینگ چیست و چه کاری انجام می دهد . در اکثر موارد در سیستم خود ۲ حالت را پیش رو دارید . یا با انتخاب حالت اتوماتیک سیستم را در حالتی قرار می دهید که بصورت اتوماتیک تایمینگ را تنظیم کند یا با تنظیم دستی Timing را کاهش می دهید تا کارآیی بهتری را بدست آورید . البته باید بدانید همه مادربورد ها امکان تغییر تایمینگ را ندارند بنابراین ممکن است بطور پیش فرض ان را در بالاترین حالت قرار دهند !

نکته دیگر اینکه در Over Clocking با افزایش تایمینگ می توان به Clock بالاتری رسید اما در اکثر موارد کارایی کل کاهش می یابد . اما اگر دقت کتید حافظه هایی هستند که در بازار مخصوص Over Clock به فروش می رسند . این حافظه ها با داشتن تایمیگ بالا این امکان را می دهند که بدون تغییر تایمینگ Clock را تا حداکثر مقدار ممکن بالا برد .

حال به توضیح تک تک پارامتر های تایمینگ می پردازیم :

CL – CAS Latency
همانطور که قبلا اشاره شد CL معروفترین پارامتر تایمینگ است . این پارامتر به ما می گوید که چه تعداد Clock ycle تاخیر خواهد داشت تا داده درخواستی را باز گردند . برای مثال یک حافظه با CL=3 تاخیری برابر ۳ Clock Cycle برای ارایه داده خواهد داشت . یا CL=5 که در مقایسه با اولی ( هر دو با Clock Rate یکسان ) کند تر است . باید دانست که در این تعریف منظور از Clock همان کلاک واقعی است که ماژول حافظه می تواند با آن کار کند .

( کلاک واقعی : نصف مقداری که بر روی ماژول های رم نوشته شده : DDR400 à ۲۰۰ Mhz )

با توجه به اینکه حافظه های DDR/DDR2 در واحد زمان دو بار داده ارسال می کنند , کلاک واقعی انها دو برابر شده و بر روی آنها نوشته می شود . 
 

شکل فوق گویای این مطلب است که پس از درخواست بیرونی ( دستور Read ) چه تعداد Clock Cycle تا ارایه داده تاخیر خواهیم داشت .
می دانیم که T=1/F که F کلاک واقعی است . برای مثال :
DDR2-533 à ۲۶۶ Mhz real Clock
در نتیجه : T=1/266 که برابر با ۳.۷۵ نانو ثانیه است .

حال با CL های متفاوت خواهیم داشت :

CL=3 3 * 3.75 = 11.75 ns

CL=5 5 * 3.75 = 18.75 ns

با مثال فوق به راحتی می توان تاخیر رم را با توجه به تایمینگ متفاوت متوجه شد .
نکته بسیار مهم این است که حافظه های SD – DDR – DDR2 بصورت مد پشت سرهم ( Burst Mode )

عمل می کنند . یعنی اگر آدرس داده بعدی ( پس از دریافت اولین داده ) درست پس از داده فعلی بر روی خط ادرس قرار گیرد آنگاه داده برای خروج تنها یک سیکل تاخیر خواهد داشت . بنابراین اگر چه داده درخواستی اولیه به اندازه CL تاخیر خواهد داشت اما داده بعدی درست به اندازه یک سیکل تاخیر داشته و ارایه خواهد

شد . باید توجه داشت این حالت زمانی اتفاق می افتد که آدرس داده بعد درست پس از داده فعلی در خط ادرس قرر گیرد .

RAS to CAS Delay ) tRCD )
هر چیپ حافظه بصورت یک ماتریس سازماندهی شده است . در تقاطع هر سطر و ستون یک خازن خواهیم داشت که وظیفه نگه داری ۰ یا ۱ را داراست . در داخل هر چیپ حافظه پروسه دسترسی به داده ذخیره شده توسط فعالسازی سطر و ستونی که داده در انجا قرار گرفته است , صورت می پذیرد . این Activation

با دو دستور کنترلی با نام های RAS ( سیگنال فعالسازی سطر ) و CAS ( سیگنال فعالسازی ستون ) انجام خوهد شد . زمان کمتر بین فعالسازی این دو دستور سبب افزایش سرعت دسترسی می شود و داده سریعتر خوانده می شود . 
 

شکل فوق نیز نمایانگر تاخیر بین فعالسازی دو سیگنال کنترلی RAS و CAS است . هنگامی که فعالسای CAS کامل شود داده خوانده خواهد شد .

همانطور که در بحث CL مطرح شد اینجا نیز تعداد تاخیز بر مبنای Cock واقعی محاسبه خواهد شد . هر چه این پارامتر کمتر باشد سرعت خواندن و نوشتن در حافظه بیشتر خواهد شد .
RAS Precharge

بعد از اینکه داده از حافظه گرفته شد یک دستور احتیاج است تا سطر فعال فعلی را که برای داده استفاده شده است ببندد وحافظه را برای فعالسازی بعدی آماده کند . RAS Precharge در واقع زمان مصرفی بین دستور Precharge تا دستور Active بعدی است . ( دستور Active را در شکل قبل دقت کنید )

قبلا دانستیم که دستور Active یک عملیات خواندن یا نوشتن را آغاز می کند .

شکل فوق زمان تاخیر بین دستور Precharge تا دستور Active بعدی است .
دیگر پارامتر ها …

بهتر است به دو مورد آخر نیز نگاهی بیاندازیم :
۱ ) tRas یا Active to Precharge Delay : بعد از اینکه یک دستور Active ایجاد شد یک دستور Precharge دیگر نمی تواند ایجاد شود تا زمانیکه tRAS بگذرد . لذا این پارامتر زمانی را که حافظه

می تواند سطر دیگری را بخواند یا بنویسد محدود می کند .
۲ ) Command Rate زمانی است بین فعال شدن یک چیپ حافظه ( از طریق پایه Chip Select ) تا زمان ارسال اولین دستور خارجی . بطور معمول این پارامتر بصورت زیر است :

T1 : تاخیر ۱ سیکل .

T2 : تاخیر ۲ سیکل .


برچسب ها:,
ارسال شده در آموزش عمومي, ترفند و آموزش سخت افزار | بدون نظر »

نظر بدهید

به صورت خودکار کلمات فینگلیش را به فارسی تبدیل کن. در صورتی که می خواهید انگلیسی تایپ کنید Ctrl+g را فشار دهید.